IGBT的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介
其包括三端器件:柵極G、集電極C和發(fā)射極E(如附圖所示);
圖中a—N溝道VDMOSFET與GTR組合——N溝道IGBT。
IGBT比VDMOSFET多一層P+注入?yún)^(qū),具有很強(qiáng)的通流能力。
簡(jiǎn)化等效電路表明,IGBT是GTR與MOSFET組成的達(dá)林頓結(jié)構(gòu),一個(gè)由MOSFET驅(qū)動(dòng)的厚基區(qū)PNP晶體管。
RN為晶體管基區(qū)內(nèi)的調(diào)制電阻。
GTR的特點(diǎn)——雙極型,電流驅(qū)動(dòng),有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),通流能力很強(qiáng),開關(guān)速度較低,所需驅(qū)動(dòng)功率大。電流控制元件。
MOSFET的優(yōu)點(diǎn)——單極型,電壓驅(qū)動(dòng),開關(guān)速度快,輸入阻抗高,熱穩(wěn)定性好,電壓控制元件。
IGBT特點(diǎn)
柵極為電壓驅(qū)動(dòng),驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,所需驅(qū)動(dòng)功率小。
工作頻率高,開關(guān)損耗小,在電壓1000V以上時(shí), 開關(guān)損耗只有GTR的1/10。
承受電壓較高,載流密度大,輸入阻抗高,通態(tài)壓降小,熱穩(wěn)定性好,沒有“一次擊穿”問題。
驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,安全工作區(qū)大,電流處理能力強(qiáng),不需要緩沖電路。
可以實(shí)現(xiàn)小電壓控制大電流。
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